本文目录：
- 1、车辆特征代码（VDS）构成？拜托了各位 谢谢
- 2、vDS多余电压产生的电场不是会把电子拉向漏极而形成漏极电流吗，为什么又说iD不再随vDS的变化而变
- 3、关于场效应管Vgs和Vds电压的问题
车辆特征代码（VDS）构成？拜托了各位 谢谢
一、VIN码的基本内容 VIN码由三个部分组成：第一部分，世界制造厂识别代号（WMI）；第二部分，车辆说明部分（VDS）；第三部分，车辆指示部分（VIS），如下所示。 WMI VDS VIS 地理 区域 车辆特征代码 顺序号 国别 装配厂 制造厂 车型年款代码 1、第一部分：世界制造厂识别代号，必须经过申请、批准和备案后方能使用。 第一位字码是标明一个地理区域的字母或数字；第二位字码是标明一个特定地区内的一个国家的字母或数字；第三位字码是标明某个特定的制造厂的字母或数字。第一、二、三位字码的组合能保证制造厂识别标志的唯一性。 2、第二部分：车辆说明部分由六位字码组成，如果制造厂不用其中的一位或几位字码，应在该位置填入制造厂选定的字母或数字占位。此部分应能识别车辆的一般特性，其代号顺序由制造厂决定。 3、第三部分：车辆指示部分由八位字码组成，其最后四位字码应是数字。 A、第一位字码指示汽车生产年份，即总每十位。（详见下表） B、第二位字码可用来指示装配厂，若无装配厂，制造厂可规定其它的内容。 C、如果制造厂生产的某种类型的车辆年产量≥500辆，第三至第八位字码表示生产顺序号；如果制造厂的年产量＜500辆，则此部分的第三、四、五位字码应与第一部分的三位字码一起来表示一个车辆制造厂。 标示年份的字码（第十位） 年份代码年份代码年份代码年份代码 1980 A 1990 L 2000 Y 2010 A 1981 B 1991 M 2001 1 2011 B 1982 C 1992 N 2002 2 2012 C 1983 D 1993 P 2003 3 2013 D 1984 E 1994 R 2004 4 2014 E 1985 F 1995 S 2005 5 2015 F 1986 G 1996 T 2006 6 2016 G 1987 H 1997 V 2007 7 2017 H 1988 J 1998 W 2008 8 2018 J 1989 K 1999 X 2009 9 2019 K 二、VIN码的基本要求 1、VIN码仅能采用下列阿拉伯数字和大写罗马字母： 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 A B C D E F G H J K L M N P Q R S T U V W X Y Z （字母I、O、Q不能使用） 2、VIN码标注位置： A、我国的《VI（车辆识别代号）管理规则》规定：“9人座或9人座以下的车辆和最大总质量小于或等于3.5T的载货汽车的车辆识别代号应位于仪表板上，在白于日光照射下，观察者不需移动任一部件从车外即可分辨出车辆识别代号”。 B、VIN码应尽量位于车辆的前半部分、易于看到且能防止磨损或替换的部位。 C、在30年内生产的任何车辆的识别代号不得相同。 D、VIN码常见位置： 仪表板左侧；前横梁；行李舱内；悬挂支架上；纵梁上；翼子板内侧；直接标注在车辆铭牌上； VIN码标准的制定和应用，在我国汽车工业飞速发展的今天，意义非常重大。广大车主无论是在购买新车或二手车时，都应该注意查看一下VIN码，通过VIN码可以了解汽车的真实产地（对进口车尤其重要）和内部的配置情况，防止上当受骗。对于车辆各相关环节的管理，充分体现了车辆管理制度的严谨性、科学性，实现了车辆管理手段的国际化、现代化，在日常车辆管理工作中必将取得事半功倍的效果。
vDS多余电压产生的电场不是会把电子拉向漏极而形成漏极电流吗，为什么又说iD不再随vDS的变化而变
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
MOS场效应管电源开关电路
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor
FieldEffect Transistor,
MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而形成电流，使源极和漏极之间导通。可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。
C-MOS场效应管（增强型MOS场效应管）
电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。
建议查下资料.感觉这样的提问没有意义
关于场效应管Vgs和Vds电压的问题
导通是有电阻的，它又不是超导材料，连“导体”都不是，而是“半导体”，只要有电流流过，就有电压降，当电流达到某值，超过这时Vgs控制电压能够产生的电流量，才进入饱和区。
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